STD1NK80ZT4
規格信息：
規格信息：
制造商:STMicroelectronics
產品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:800 V
Id-連續漏極電流:1 A
Rds On-漏源導通電阻:13 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Qg-柵極電荷:7.7 nC
小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:45 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:2.4 mm
長度:6.6 mm
系列:STD1NK80Z
晶體管類型:1 N-Channel
類型:MOSFET
寬度:6.2 mm
商標:STMicroelectronics
正向跨導 - 小值:0.8 S
下降時間:55 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:30 ns
工廠包裝數量:2500
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:22 ns
典型接通延遲時間:8 ns
單位重量:4 g
